Silicon Motion Technology เปิดตัวหน่วยความจำประสิทธิภาพสูง UFS 2.1 (Universal Flash Storage) ทำความเร็วในการอ่าน/เขียนแบบสุ่มสูงถึง 50,000/40,000 IOPS มีความจุถึง 512GB และใช้พลังงานต่ำ ช่วยเพิ่มความสามารถให้กับสมาร์ทโฟนที่ต้องการพื้นที่เก็บข้อมูลสูงสำหรับบันทึกคอนเท้นต์ 4K และ AR/VR
หน่วยความจำแบบ UFS 2.1 มีประสิทธิภาพในการอ่าน/เขียนข้อมูล มากกว่า 3 เท่า เมื่อเทียบกับ eMMC 5.1 ที่ใช้งานในตลาดปัจจุบัน และมีการประเมินว่าหน่วยความจำแบบ UFS จะเข้ามาแทนที่ eMMC ในอีก 5 ปีข้างหน้า
Silicon Motion Technology กำลังมองหาพาร์ทเนอร์ เพื่อจะเริ่มผลิตหน่วยความจำ UFS 2.1 ในปลายปี 2017 ดังนั้น สมาร์ทโฟนระดับพรีเมี่ยมในปี 2018 จึงมีโอกาสสูงที่จะมาพร้อมหน่วยความจำรุ่นใหม่ และมีความจุสูงถึง 512GB ขณะที่สมาร์ทโฟนในปัจจุบันมีความจุสูงสุด 256GB
ที่มา – Phonearena
http://www.flashfly.net/wp/?p=176868
