สมาร์ทโฟนระดับเรือธงในปีนี้ มีความจุในตัวสูงสุด 256GB แต่ในปีหน้าอาจมีความจุเพิ่มขึ้นอีก 2 เท่า!! Samsung Electronics ประกาศเดินหน้าเริ่มผลิตชิปความจำ embedded Universal Flash Storage (eUFS) ความจุ 512GB เตรียมไว้ใช้กับสมาร์ทโฟนหรือแท็บเล็ตระดับไฮเอนด์ในอนาคต
Samsung บอกว่าชิปความจำ eUFS 512GB มีประสิทธิภาพในการอ่านและเขียนที่ดีขึ้น สามารถอ่านข้อมูลด้วยความเร็วสูงสุด 860 เมกะไบต์ต่อวินาที และเขียนข้อมูลด้วยความเร็วสูงสุด 255 เมกะไบต์ต่อวินาที สามารถถ่ายโอนไฟล์วีดีโอ Full HD ขนาด 5GB ไปยัง SSD ในเวลาเพียง 6 วินาที เร็วกว่าการ์ด microSD ทั่วไปถึง 8 เท่า
ที่มา – Samsung
http://www.flashfly.net/wp/202104
