Samsung Electronics แนะนำหน่วยความจำ DRAM 8GB LPDDR4 (low power, double data rate 4) นับเป็นครั้งแรกของอุตสาหกรรมการผลิตชิปความจำสำหรับอุปกรณ์พกพาอย่างสมาร์ทโฟน หรือ แท็บเล็ต โดยใช้ชิป 16Gb (gigabit) LPDDR4 จำนวน 4 ตัว เทคโนโลยีการผลิต 10 นาโนเมตร
Samsung บอกว่าความจำ 8GB LPDDR4 ทำงานที่ความเร็ว 4,266Mbps (เมกะบิตต่อวินาที) ไวกว่าความจำ DDR4 DRAM ในคอมพิวเตอร์ถึง 2 เท่า ซึ่งทำงานที่ความเร็ว 2,133 Mbps ส่งผลให้อุปกรณ์สามารถถ่ายโอนข้อมูลความเร็วสูง 34Gbps (กิกะไบต์ต่อวินาที) บน Memory Bus 64-bit
Samsung มีแผนติดตั้งหน่วยความจำรุ่นใหม่กับสมาร์ทโฟนและแท็บเล็ตในอนาคต ช่วยให้อุปกรณ์ตอบสนองการเล่นวีดีโอระดับ 4K Ultra HD รวมถึงคอนเท้นต์ VR ได้อย่างราบรื่น เช่นเดียวกับคอมพิวเตอร์ระดับพรีเมี่ยม
ที่มา – Samsung
http://www.flashfly.net/wp/?p=162435
