Toshiba Memory Corporation,ผู้นำด้านโซลูชั่นหน่วยความจำระดับโลกได้เริ่มต้นการทดลองใช้งานอุปกรณ์ Universal Flash Storage (UFS) [1] โดยใช้หน่วยความจำแฟลช BiCS Flash™ 3D แฟลชเมมโมรี แบบ 64 เลเยอร์[2] ที่ทันสมัยของ Toshiba Memory Corporation อุปกรณ์ UFS รุ่นใหม่ตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพสำหรับการใช้งานที่ต้องการความเร็วในการอ่านและเขียนที่ และการใช้พลังงานไฟฟ้าต่ำ ซึ่งรวมถึงอุปกรณ์เคลื่อนที่ เช่น สมาร์ทโฟนและแท็บเล็ต และระบบสภาพแวดล้อมเสมือนจริง (augmented and virtual reality systems)
ผลิตภัณฑ์รุ่นใหม่นี้จะมีให้เลือกซื้อ 4 รุ่นความจุ ได้แก่ 32GB, 64GB, 128GB และ 256GB[3] อุปกรณ์ทั้งหมดรวมหน่วยความจำแฟลชและคอนโทรลเลอร์ไว้ในชุดเดียวแบบ JEDEC มาตรฐาน 11.5 x 13 มม. ตัวคอนโทรลเลอร์จะดำเนินการแก้ไขข้อผิดพลาด ปรับระดับการสึกหรอ และแปลงlogical address เป็น physical address และ การจัดการกับ bad block ซึ่งช่วยให้ผู้ใช้สามารถลดความซับซ้อนของการพัฒนาระบบ
อุปกรณ์ทั้งสี่นี้ยังคงเป็นเหมือน JEDEC UFS Ver2.1 ซึ่งรวมถึง HS-GEAR3 ซึ่งมีความเร็วในการเชื่อมต่อทางทฤษฎีถึง 5.8 Gbps ต่อเลน (x2 เลน = 11.6Gbps) และยังช่วยลดการใช้พลังงานได้อีกด้วย สมรรถนะในการอ่านและเขียนต่อเนื่องของอุปกรณ์รุ่น 64GB อยู่ที่ 900MB / วินาที และ 180MB / วินาที ขณะที่การอ่านและเขียนแบบสุ่มดีกว่ารุ่นก่อน ๆ ประมาณ 200% และ 185%[5]. เนื่องจากมีอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงสนับสนุนการทำงานแบบ full duplexing ซึ่งจะช่วยให้สามารถอ่านและเขียนข้อมูลระหว่างโฮสต์โปรเซสเซอร์กับอุปกรณ์ UFS ได้อย่างต่อเนื่อง
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการที่กล่าวถึงในที่นี้ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
หมายเหตุ
[1] Universal Flash Storage (UFS) เป็นผลิตภัณฑ์ประเภทผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังตัวที่สร้างขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐาน JEDEC UFS
[2] การจัดส่งตัวอย่างของอุปกรณ์รุ่น 64GB จะเริ่มในวันนี้ ส่วนผลิตภัณฑ์ที่เหลืออื่น ๆ ของสายการผลิตจะค่อย ๆ ทยอยส่ง หลังจากเดือนธันวาคม
[3] ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ไม่ใช้จํานวนหน่วยความจําที่สามารถจัดเก็บข้อมูลได้ โดยผู้ใช้ ความจุที่ใช้งานได้ของผู้บริโภคจะลดลงเนื่องจาก overhead data areas, การจัดรูปแบบบล็อกที่ไม่ถูกต้อง (bad blocks) และข้อจำกัดอื่น ๆ และอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์โฮสต์และการใช้งาน สำหรับรายละเอียดโปรดดูข้อกำหนดเฉพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
[4] ความเร็วในการอ่านและเขียนจะคำนวณให้ 1MB / s = 1,000,000 ไบต์ / วินาที ความเร็วในการอ่านและเขียนที่แท้จริงอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ เงื่อนไขการอ่านและเขียน และขนาดไฟล์
[5]อุปกรณ์รุ่น 64GB รุ่นก่อนหน้าของ Toshiba Memory Corporation “THGAF4G9N4LBAIR”
