Samsung ประกาศผลิตความจำ 16-Gb GDDR6 (Graphics Double Data Rate 6) ในปริมาณมากเป็นรายแรก โดยใช้เทคโนโลยี 10 นาโนเมตร ความเร็ว pin speed 18Gbps และ transfer rates สูงสุด 72Gbps ทำงานที่ 1.35V เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนอย่าง 8-Gb GDDR5 พบว่าใช้เทคโนโลยี 20 นาโนเมตร ความเร็ว pin speed 9Gbps และทำงานที่ 1.55V
ชัดเจนว่า 16-Gigabit GDDR6 มีประสิทธิภาพมากขึ้น และยังประหยัดพลังงานกว่าเดิมถึง 35% จึงเหมาะที่จะนำไปใช้ในกราฟิกการ์ดของคอมพิวเตอร์ที่ออกแบบมาเพื่อเล่นเกม ขุดเงินดิจิตอล ประมวลผลวีดีโอ 8K Ultra HD รวมถึงใช้กับเทคโนโลยี VR หรือ AR ขณะที่ Samsung เปิดเผยว่าชิปความจำรุ่นใหม่ จะถูกนำไปใช้ทั้งระบบยานยนต์, เครือข่าย และ ปัญญาประดิษฐ์ (Artificial Intelligence)
นอกจาก Samsung ก็ยังมี SK Hynix และ Micron ที่วางแผนผลิตความจำ GDDR6 ในปีนี้เช่นเดียวกัน แต่มีความเร็ว pin speed ที่ 16Gbps และ 12Gbps ตามลำดับ ซึ่งต่ำกว่า Samsung เล็กน้อย อย่างไรก็ตาม นี่เป็นเพียงจุดเริ่มต้นเท่านั้น และคาดว่าเราจะได้เห็นผลิตภัณฑ์ที่ใช้ความจำ GDDR6 ภายในปลายปีนี้ หรือต้นปีหน้า
ที่มา – Ars Technica
http://www.flashfly.net/wp/?p=205823
