Samsung Electronics เปิดตัวชิปความจำ 8Gb (กิกะบิต) LPDDR5 DRAM ขนาด 10 นาโนเมตร นับเป็นความสำเร็จครั้งแรกของอุตสาหกรรม หลังจากที่ก่อนหน้านี้เคยผลิตชิปความจำ 8Gb LPDDR4 ในปี 2014 โดยชิปความจำรุ่นใหม่ ถูกเตรียมไว้ใช้กับสมาร์ทโฟนที่จะออกมาในอนาคตอันใกล้นี้ โดยมุ่งเน้นไปที่เทคโนโลยี 5G และ AI (Artificial Intelligence)
ชิปความจำ 8Gb LPDDR5 ประกอบไปด้วย 10nm-class 16Gb GDDR6 DRAM (เริ่มผลิตแล้วตั้งแต่เดือนธันวาคม 2017) และ 16Gb DDR5 DRAM (เริ่มพัฒนาขึ้นในเดือนกุมภาพันธ์ที่ผ่านมา)
ชิปความจำ 8Gb LPDDR5 ให้อัตราข้อมูลสูงสุดถึง 6,400 เมกะบิตต่อวินาที เร็วขึ้นกว่าเดิม 1.5 เท่า เมื่อเทียบกับกว่าชิปความจำที่ใช้กับสมาร์ทโฟนเรือธงในปัจจุบัน (LPDDR4X, 4266Mb/s) สามารถส่งข้อมูลขนาด 51.2 GB (กิกะไบต์) หรือไฟล์วีดีโอ Full HD ขนาด 3.7GB (14 ไฟล์) ได้ในเวลาเพียง 1 วินาที
นอกจากนี้ ชิปความจำ 8Gb LPDDR5 ยังออกแบบมาให้ลดการใช้พลังงานได้ถึง 30% จึงช่วยยืดอายุการใช้งานแบตเตอรี่สมาร์ทโฟนด้วย
คาดว่า ชิปความจำ 8Gb LPDDR5 จะถูกนำไปใช้กับสมาร์ทโฟนระดับเรือธงของ Samsung ที่จะออกมาในปี 2019 และเราหวังว่าจะผลิตออกมาทันใช้กับ Samsung Galaxy S10
ที่มา – Samsung
http://www.flashfly.net/wp/?p=223624
