Samsung ประกาศเป็นรายแรกในการผลิตชิปหน่วยความจำ eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage) ขนาด 512GB เพื่อเตรียมนำไปใช้กับสมาร์ทโฟนเรือธงในอนาคต โดยมีความเร็วในการเขียนข้อมูลเพิ่มขึ้น 3 เท่า เมื่อเทียบกับ eUFS 3.0
ชิปหน่วยความจำ 512GB eUFS 3.1 ของ Samsung สามารถทำความเร็วในการเขียนต่อเนื่องมากกว่า 1,200MB/s เร็วกว่า 2 เท่า เมื่อเทียบกับหน่วยความจำของ PC บนพื้นฐาน SATA (540MB/s) และเร็วกว่า 10 เท่า เมื่อเทียบกับการ์ด UHS-I microSD (90MB/s)
ชิปหน่วยความจำ 512GB eUFS 3.1 ช่วยให้สมาร์ทโฟนจัดเก็บวีดีโอระดับ 8K หรือภาพถ่ายขนาดใหญ่ได้อย่างรวดเร็ว รวมไปถึงการถ่ายโอนข้อมูลก็จะใช้เวลาน้อยลงอย่างมาก ด้วย eUFS 3.1 สามารถถ่ายโอนข้อมูล 100GB ในเวลาเพียง 1.5 นาที ขณะที่ UFS 3.0 ใช้เวลามากกว่า 4 นาที
ชิปหน่วยความจำ 512GB eUFS 3.1 มีความเร็วในการประมวลผลเพิ่ม 60% เมื่อเทียบกับ UFS 3.0 นำเสนอ 100,000 IOPS สำหรับการอ่าน และ 70,000 IOPS สำหรับการเขียน (IOPS – input/output operations per second)
นอกจากขนาด 512GB ยังมีขนาด 256GB และ 128GB เป็นทางเลือก โดยจะถูกนำไปติดตั้งกับสมาร์ทโฟนเรือธงที่จะเปิดตัวในปลายปีนี้
ที่มา – Samsung
https://www.flashfly.net/wp/290749
