Qualcomm Technologies และ Samsung Electronics ประกาศร่วมมือกันผลิตชิปประมวลผล สำหรับอุปกรณ์พกพาระดับพรีเมี่ยม Qualcomm Snapdragon 835 โดยใช้เทคโนโลยีการผลิต FinFET 10 นาโนเมตร ของ Samsung ตั้งเป้าส่งมอบไปยังผู้ผลิตสมาร์ทโฟนภายในไตรมาสที่ 1 หรือ 2 ของปี 2017
ชิปประมวลผล Qualcomm Snapdragon 835 ภายใต้เทคโนโลยี FinFET 10 นาโนเมตร ของ Samsung ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพถึง 27% และลดการใช้งานพลังสูงถึง 40% เมื่อเทียบกับเทคโนโลยี FinFET 14 นาโนเมตร
นอกจากนี้ ชิปประมวลผล Qualcomm Snapdragon 835 ยังสนับสนุนเทคโนโลยีชาร์จไว Quick Charge 4.0 ซึ่งมีประสิทธิภาพในการชาร์จแบตเตอรี่สมาร์ทโฟนเร็วขึ้น 20% เมื่อเปรียบเทียบกับ Quick Charge 3.0 และให้พลังงานนาน 5 ชั่วโมง เพียงชาร์จแบตเตอรี่ 5 นาที
ที่มา – Phonearena
http://www.flashfly.net/wp/?p=165109
