กลุ่มเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงของ Samsung Electronics เปิดตัวชิปประมวลผลระดับพรีเมี่ยม Exynos 9 Series 8895 ซึ่งเป็นชิปเซ็ตรุ่นแรกของ Samsung ที่ได้รับการผลิตด้วยเทคโนโลยี 10 นาโนเมตร FinFET ที่มีโครงสร้างทรานซิสเตอร์ 3 มิติ ส่งผลให้มีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น 27% และใช้พลังงานลดลงถึง 40% เมื่อเทียบกับชิปรุ่นก่อนที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 14 นาโนเมตร
Samsung Exynos 9 Series 8895 ยังเป็นชิปประมวลผลรุ่นแรกทีฝังโมเด็ม gigabit LTE สนับสนุน 5CA (Carrier Aggregation) สามารถดาวน์โหลดข้อมูลความเร็วสูงสุด 1Gbps (Cat.16) ได้อย่างเสถียรและรวดเร็ว และมีความเร็วในการอัพโหลด 150Mbps (Cat.13) ด้วย 2CA
Samsung Exynos 9 Series 8895 มาพร้อมโปรเซสเซอร์ 8 แกน หรือ Octa Core โดยใช้ 4 แกนหลักจาก Samsung และอีก 4 แกน จาก Cortex-A53 ที่มีประสิทธิภาพการใช้พลังงาน และใช้จีพียู ARM Mali-G71 สนับสนุน MFC (multi-format codec) ยกระดับกราฟิก 3 มิติ และลดค่า latency สำหรับการเล่นเกมส์ รวมถึงคอนเท้นต์ 4K UHD VR
ปัจจุบัน Exynos 9 Series 8895 กำลังอยู่ในขั้นตอนการผลิตแล้ว ถึงแม้ Samsung จะไม่ได้ประกาศออกมา แต่ก็เชื่อว่ามีแนวโน้มที่จะถูกใช้เป็นขุมพลังให้กับ Galaxy S8 ที่มีข่าวลือว่าจะมี 2 เวอร์ชั่น คือ ใช้ชิปจาก Qualcomm Snapdragon 835 และอีกเวอร์ชั่นจะใช้ชิปของตัวเอง
ที่มา – Samsung
http://www.flashfly.net/wp/?p=175167
