ย้อนกลับไปในเดือนพฤศจิกายนของปีที่ผ่านมา Qualcomm ได้ประกาศร่วมมือกับ Samsung ผลิตชิปประมวลผล Snapdragon 835 แต่ในครั้งนั้นยังไม่ได้เปิดเผยรายละเอียดหรือข้อมูลทางเทคนิคออกมามากนัก ทราบแต่เพียงว่าจะใช้เทคโนโลยีการผลิต FinFET 10 นาโนเมตร ของ Samsung สนับสนุนเทคโนโลยีชาร์จไว Quick Charge 4.0 และพร้อมส่งมอบให้กับสมาร์ทโฟนระดับเรือธงในช่วงต้นปี 2017
รายงานล่าสุดอ้างว่า Qualcomm อาจมีการเปิดตัวชิป Snapdragon 835 อย่างทางการในงาน CES 2017 ในวันที่ 5 มกราคมนี้ หลังจากพบภาพสไลด์หลุดออกมา ซึ่งดูเหมือน Qualcomm เตรียมข้อมูลไว้นำเสนอบนเวทีเปิดตัว และภาพสไลด์ชุดนี้ก็ได้รวบรวมข้อมูลทางเทคนิคของชิป Snapdragon 835 ไว้อย่างละเอียด
คาดว่าสมาร์ทโฟนรุ่นแรกที่จะมาพร้อมชิป Snapdragon 835 จาก Qualcomm อาจเป็น 1 ใน 3 รุ่นนี้ Samsung Galaxy S8, Xiaomi Mi 6 หรือ LG G6
ที่มา – AndroidPure
http://www.flashfly.net/wp/?p=169128
